DDR4

[[Soubor:Two 8 GB DDR4-2133 ECC 1.2 V RDIMMs.jpg|thumb|240px|Dvojice DDR4 modulů]]
Operační paměti '''DDR4 [[DDR SDRAM|SDRAM]]''' ('''D'''ouble '''D'''ata '''R'''ate '''4''' '''S'''ynchronous '''D'''ynamic '''R'''andom '''A'''ccess '''M'''emory) jsou přímým nástupcem typu [[DDR3]].

Na trhu se operační pamět DDR4 objevila v roce 2014 a je to jedna z posledních variant DRAM, které jsou používány od roku 1970. Jedná se o rychlejšího nástupce pro moduly DDR2 a DDR3, který není zpětně kompatibilní se staršími moduly, díky rozdílným napětí a samotnému fyzickému rozhraní. 

První DDR4 se na komerční trh dostaly ve 2. čtvrtletí roku 2014, kde se z počátku objevily pouze [[ECC]] moduly. Non-ECC DDR4 byly k dostání až ve 3. čtvrtletí 2014, kde doprovázely uvedení na trh procesory typu Haswell-E.

== Parametry ==
[[Architektura|Architekturou]] jsou paměti stejné už od 70. let, stále jde o typ [[DRAM]]. Jak už je tomu vždy u nových typů [[DDR]] RAM, ani DDR4 není elektricky slučitelná s předchozími typy. Tzv. zámek je opět posunut, aby nedošlo k nekompatibilnímu zapojení do patice jiného typu. Provozní [[napětí]] bylo sníženo na 1,05 – 1,2V. Počítá se opět s vyššími [[Frekvence|frekvencemi]] a tedy i s větší [[GT/s|přenosovou rychlostí]] (1,6 - 3,2 GT/s). [[Časování RAM|Časování]] je zvýšeno minimálně na CL12. <br />
[[Čip|Čipy]] by měly být vytvořeny 20nm technologií. Architektura umožní jednodušší komunikaci s [[PCI (sběrnice)|PCI sběrnicemi]]. Zároveň bude paměť osazena více [[Pin|piny]] ([[DIMM]] 284 a [[SO-DIMM]] 256), které budou pouze 0,85 mm široké. Vícevrstvý [[plošný spoj]] také vytvoří o 0,2 mm tlustší [[modul]].<br />
Ztenčení čipové struktury umožní tedy vyšší frekvence, a zároveň sníží energetické nároky (až o 40 % nižší spotřeba).

== Historie ==
První prototyp DDR4 byl vyvinut společností Samsung a zveřejněn v lednu 2011. [[JEDEC]] začal na novém typu pracovat už v roce [[2005]], asi 2 roky před uvedením DDR3 v roce 2007. Dokončení architektury DDR4 bylo plánováno v roce 2008. 

Předběžné informace byly zveřejněny v roce 2007, a mluvčí firmy Qimonda poskytl další veřejné informace ve své prezentaci v srpnu 2008 v [[San Francisco|San Franciscu]] na Intel Developer Fóru (IDF).

DDR4 se vyznačuje výrobním procesem 30 nm při napětí 1,2 voltů, s frekvencí sběrnice 2133 MT / s "normální" rychlostí a 3200 MT /  "pro nadšence" rychlostí. Vystoupil na trhu v roce 2012. V roce 2013 se napětí snížilo až na 1 volt. Následně byly další detaily zveřejněny při MemConu 2010 v Tokiu. Prezentace ředitele [[JEDEC]] "Čas přehodnotit DDR4" vedlo některé webové servery, ke zprávě, že zavedení DDR4 bylo pravděpodobně  nebo definitivně odloženo až do roku 2015. Nicméně zkušební vzorky DDR4 byly uvedeny v souladu s původnímu harmonogramem na počátku roku 2011, ve kterém výrobci zminují ponechání rozsáhlé komerční výroby a uvolnění na trh naplánováné na rok 2012.

V letech 2015 a 2016 by měly tyto operační paměti získat většinový podíl na trhu a nahradit tak DDR3. 

Přechod z DDR3 na DDR4 tedy trvá déle, než zhruba pětiletý přechod z DDR2 na DDR3. z části je to proto, že změny, které je potřeba učinit u ostatních komponent ovlivní všechny části počítačových systémů, které bude pro spolupráci s DDR4 potřeba aktualizovat. V únoru 2009, Samsung ověřil 40nm DRAM čipy, což se dá považovat za "významný krok" směrem k vývoji DDR4 neboť v roce 2009 DRAM čipy byly teprve začínaly směřovat k výrobnímu procesu 50nm. V lednu 2011 Samsung oznámil dokončení a uvolnění pro testování modulu 2 GiB DDR4 DRAM na základě výrobního procesu mezi 30 a 39 nm. Maximální rychlost přenosu dat je 2.133 MT / s při 1,2 V, při využití technologie převzaté z grafické paměti DDR. Modul DDR4 čerpá o 40% méně energie než DDR3.

O tři měsíce později v dubnu 2011 firma Hynix oznámila výrobu 2 GiB DDR4 modulů na 2400 MT /s běžících na 1,2 V a výrobním procesu mezi 30 a 39 nm (přesné číslo není specifikované) a dodala, že předpokládá zahájení vysoko-objemové výroby v druhé polovině roku 2012. 

V květnu 2012, Micron oznámil, že se zaměřuje na zahájení výroby 30nm modulů ke konci roku 2012. 

V září 2012, JEDEC vydal finální specifikaci DDR4.

V dubnu 2014 firma Hynix oznámila, že vyvinula jako první na světě modul s nejvyšší hustotou 128 GiB  založený na 8 Gib DDR4 pomocí 20 nm technologie. Modul pracuje na 2133 MHz, s 64-bit I / O, a zpracuje až 17 GB dat za sekundu. Hynix předpokládá komercializaci DDR4 SDRAM do roku 2015 a standardizaci do roku 2016.

Konec [[Éra|éry]] DDR4 se očekává kolem roku [[2020]] (kdy je počítáno dokonce se 128 GB moduly).

== Následníci ==
Stejně jako v roce 2014, není plánován žádný přímý nástupce technologie DDR4. Pravděpodobně by nadcházející technologií, podle dosavadního vývoje, měla být "DDR5 SDRAM". Některé zdroje spekulují, že další standardní paměť by měla s větší pravděpodobností používat sériové, namísto dosavadního paralelního rozhraní. V současné době jsou používané 288/260-pin neregistrované moduly DDR4. Předmětem možných spekulací může určitě být Micron Technology [[Hybrid Memory Cube]] (HMC), která využívá technologii vrstvení paměti. 

Historický vývoj jiných počítačových sběrnic směřuje k nahrazování paralelního rozhraní sériovým, jako například u SATA, kdy jeho předchůdcem byla paralelní sběrnice PATA a mnoho dalších příkladů jako náhrada paralelních portů sériovými a později USB. Obecně platí, že sériové sběrnice jsou snadněji škálovatelné a pro návrh plošných spojů a samotných vodičů mnohem jednodušší na vývoj.

V roce 2011 JEDEC také představil standard Wide I/O 2, využívající podobné schéma jako Hybrid Memory Cube. Toto uspořádání paměti poskytuje větší šířku pásma a lepší výkon než DDR4. Umožňuje široké rozhraní s krátší délkou signálu. Jejím cílem je především nahradit různé mobilní SDRAM standardy DDRX používané ve vysoce výkonných vestavěných a mobilních zařízení, jako jsou chytré telefony.

== Externí odkazy ==
* [http://www.jedec.org/news/pressreleases/jedec-announces-publication-ddr4-standard Finální specifikace od komise JEDEC] (anglicky)


{{Flickr|DDR4+RAM}}{{Commonscat|DDR4 RAM}}{{Článek z Wikipedie}}
[[Kategorie:Počítačová paměť]]